Samsung anuncia Flashbolt HBM2E: hasta 16 GB y 1.64 TBps por pila

Samsung anuncia Flashbolt HBM2E: hasta 16 GB y 1.64 TBps por pila

Samsung anunció su nuevo Flashbolt High Bandwidth Memory (HBM) 2E en la GPU Technology Conference (GTC) de Nvidia.

Flashbolt es el primer producto de la industria que cumple con la especificación HBM2E, que mejora el ancho de banda por pin en un 33%, un aumento de 2.4Gbps a 3.2Gbps. La capacidad por troquel también se duplica a 16Gb.

Como resultado, un paquete Flashbolt con un bus de 1024 bits ofrecerá hasta 410 GB / s de ancho de banda y 16 GB de capacidad en una configuración de pila de 8 Hi.

La compañía apunta el producto a los centros de datos de próxima generación, AI / ML y aplicaciones de gráficos. Evidentemente, al usar cuatro pilas y una interfaz de memoria de 4096 bits, el ancho de banda máximo y la capacidad se cuadruplican a 1,64 TB / sy 64 GB, respectivamente. A modo de comparación, el año pasado en GTC, Nvidia actualizó el Tesla V100 con una versión con 32GB y 1.75Gbps de memoria HBM2, entregando 900GB / s. El Radeon VII de 7nm más reciente de AMD usa cuatro paquetes HBM2 a 2.0Gbps para 1TB / s de ancho de banda de memoria.

Tabla de especificaciones Samsung Flashbolt High Bandwidth Memory

Rayo Aquabolt Llamarada
Capacidad 16 GB 8GB 8GB 4 GB 8GB 4 GB
Ancho de banda por pin 3.2Gb / s 2.4Gb / s 2.0Gb / s 2.0Gb / s 1.6Gb / s 1.6Gb / s
Número de matrices por pila 8 8 8 4 8 4
voltaje ? 1.2V 1.35V 1.35V 1.2V 1.2V
Ancho de banda por pila 410GB / s 307.2GB / s 256GB / s 256GB / s 204.8GB / s 204.8GB / s

Se han anunciado pocos detalles del producto, como el voltaje de operación o el nodo de fabricación. El año pasado, Aquabolt operó a 1.2 V y fue construido con tecnología DRAM de 20nm. El ancho de bus efectivo por paquete se mantiene en 1024 bits.

En general, HBM usa mucho menos energía y también tiene una huella mucho más pequeña que DDR4 o GDDR6 al apilar múltiples DRAM uno encima del otro e interconectándolos con vías de silicio (TSV). Debido a la gran cantidad de pines, el HBM generalmente está conectado a la matriz de cómputo a través de un intercalador. Sin embargo, esto agrega costos, por lo que HBM se ha restringido a la gama alta. Intel, por otro lado, utiliza su tecnología EMIB en sus productos Stratix 10 FPGA y Kaby Lake -G para conectar la memoria al FPGA o GPU .

Samsung aún no ha anunciado la producción en volumen de esta nueva memoria HBM2E , pero es seguro asumir que Flashbolt encontrará su camino en las GPU de 7nm de próxima generación en algún momento.

Recuerda dejarnos tu opinión sobre el nuevo  Samsung  Flashbolt HBM2E.

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